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新闻详细/用于LDO六盘水干式变压器的CMOS基准电压源的设计

用于LDO六盘水干式变压器的CMOS基准电压源的设计

网站编辑:六盘水华盈非晶合金变压器有限公司 │ 发表时间:2018-10-10

用于LDO六盘水干式变压器的CMOS基准电压源的设计

  用于LDO六盘水干式变压器的CMOS基准电华盈非晶合金变压器有限公司压源的设计林双喜(武汉工程大学六盘水干式变压器信息学院,湖北武汉430074)了一款简单实用的CMOS电压基准电路。仿真结果显示,基准电路静态电流约为35pA,基准电压的度系数为士15xlO―Vt;低铎时电源抑制比为63dB,电压调整率为0.005.关键诵LDO穗压器;基准电压;度系数;电泺抑制比;电压调整率输人基准电路的输出电压KREF,误差放大器的输出驱动调整元件,通过改变其导通电阻,最终实现稳定输出,输出电压为随着技术篼速发展,便干式变压器广泛用于局部照明、高层建筑 、机场,码头CNC机械设备等场所,简单的说干式变压器就是指铁芯和绕组不浸渍在绝缘油中的变压器。冷却方式分为自然空气冷却(AN)和强迫空气冷却(AF)。自然空冷时,变压器可在额定容量下长期连续运行。强迫风冷时,变压器输出容量可提高50%。适用于断续过负荷运行,或应急事故过负荷运行;由于过负荷时负载损耗和阻抗电压增幅较大,处于非经济运行状态,故不应使其处于长时间连续过负荷运行。携式产品需要更高性能的电源供电。低压差(LowDropout:LDO)线性[ci地 址:山东聊城经济开发区华山路南首30号tyname]干式变压器比传统的线性六盘水干式变压器有更高的电源转换效率,而比开关式六盘水干式变压器有更简单的结构、更低的成本和更低的噪声特性,因此它在便携式产品中越来越受欢迎,广泛应用在锂电池充电以及低企业账号:1611 0032 092 00213 086压数字电路电源等场合。

  典型的六盘水干式变压器的系统框图如所示。要由调整元件(PassElement)、基准电路(Reference)、误差放大邮 箱:1262980066@qq.com器(EAMP)及采样电阻网络(/及/)等组成。其工作原理是:电路上电后,启动电路华盈做为变压器优质厂家为您郑重承诺:我们所有变压器保证全新全铜线,三年内在正常使用中出现质量问题给与保修保换,凡2000KVA以下产品全部现货供应,凡使用本公司的变压器在正常投入运行三年内一律实行三包。产品畅销、山东、新疆、内蒙古、甘肃、宁夏、陕西、山西、河北、河南、黑龙江、吉林、辽宁、四川、贵州、湖北、湖南等地。365天全程为您服务!本公司秉承“以人为本,科技创新,志在超越”的崇高信念,以可靠的产品质量,优惠的价格,完善的售后服务,精益求精,追求完美,竭力欢迎新老客户垂询合作,愿与广大客户共创双赢的美好明天。 使电路尽快上电启动,误差放大器的同相端本公司生产的SCRBH15非晶合金干式变压器,SGBH15非晶合金变压器(10KV级),SCRBH15非晶合金卷铁芯干式变压器 S9、S11.S13系列6-35KV油浸式变压器、SCB10.SCB11系列6-35KV干式变压器、非晶合金、有载调压电力变压器等级低损耗电力变压器,技术标准严格采用国际GB1094.1、2-1996;GB/T6451-1999,并在同行中率先获得ISO9001质量体系认证证书和PCCC产品认证证书。主导产品“华盈”牌电力变压器达到同行业领先水平。公司成立以来,本着创新发展的目标,购进了先进的生产检测设备,引进了国际先进的企业管理模式和工艺,建立了高效灵敏的信息反馈系统和完整的售后服务体系。公司早在1997年就率先通过了ISO9001质量管理体系认证,并于2016年成功换版为ISO9001:2008质量管理体系认证,在2016年九月份获得ISO14001:2004环境管理体系认证,在2017年5月份获得中国国家强制性产品认证(3C认证),使产品质量有了很大的提高,产品服务更贴近于用户需求。输入采样电阻S1及对输出电压V.采1 LDO六盘水干式变压电 话:0635-8888299器的核心电路模块。隙(Bandgap)基准电路由于具有较高的精度已被广泛应用在各种模拟集成电手 机:13287501888路中。

  一个性能良好的隙基准电路能够保证在一定的范围内基本上不随电源电压、工艺参数及温度的变化而变化。虽然通过复杂的电路设计可以使得设计的基准电压具有极小的温度系数和极篼的电源抑制能力,但过于复杂的电路设计会导致电路较篼的电流消耗,从而使整个LDO的静态电流增加,效率降低。笔者设计了一款电路架构较联系人:陈经理为简单的隙电路,放大器设计为三级放大,具有较篼的增益从而可减小基准电压源温度系数的漂移;经过对放大器偏置电路的精心设计获得较好的电源抑制能力。

  1隙基准电路的设传 真:0635-8888109计隙基准电路利用双极型晶体管基-射极电压VBE的负温度系数与两个晶体管之间的AFBE的正温度系数相互抵消来实现低温漂、高精度的基准电压。

  隙基准电路发展至今,已取得了许多成就,为了满足不同的要求,有很多种不同的电路构架。所示为经典的CMOS隙基准电路陈贵灿,程军,张瑞智,等,译。西安:西安交通大学出版1科技/2007年07月15日"

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